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先端技術トピックス
キオクシアで研究開発を進めている最新技術など参考になるトピックスをわかりやすく解説します。
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極低温で動作する7ビットセル・フラッシュメモリに適用する回復アニール技術を開発しました。本技術は、将来のビットコストのスケーリングやチップ寿命の延長など、持続可能な社会の実現に貢献することができます。
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メモリセルの特性を向上できるシリコンプロセス技術と77Kの極低温動作とを組み合わせることにより、世界で初めて3次元フラッシュメモリの1セルあたり7ビット動作の実証に成功しました。
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近年では量子コンピューターの発展などを背景にコンピューターシステムの極低温動作などが求められ、そして低温による半導体素子の特性改善などが報告されています。そこで今回我々は3次元フラッシュメモリ（BiCS FLASH™）の極低温動作を調査し、ストレージ性能の向上を世界で初めて報告しました。
キオクシアの研究部門
次世代メモリ等のメモリ分野における先端研究開発、応用システム開発、開発試作業務をつかさどります。
当社が世界に先駆けて開発した3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の研究開発と量産化の橋渡しを行っています。
新しいアプリケーション開発を支え様々な技術や製品の潜在能力を引き出すキオクシアのメモリとストレージソリューションを、アプリケーション（用途）別にご紹介します。
セキュリティ、ネットワーク全体でSSDを共有するソフトウェアデファインドソリューションなど最新のSSDを支えるストレージ技術とソリューションを紹介します。
キオクシアでは「記憶」の技術で業界をリードする研究・技術開発体制を敷いています。各拠点を活用し、 オープンイノベーションを推進しながら技術革新を行っています。
