技術統括責任者　宮島 秀史

キオクシアはNAND型フラッシュメモリ、3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™を世界に先駆けて提案・開発し、「『記憶』で世界をおもしろくする」を実現するため、将来に向けた研究・技術開発を推進しています。

キオクシアは、技術者育成に力を入れており、新入社員から経験を積んだ技術者まで個々のキャリア形成を支援しています。その中で特定技術分野の頂点である技監は高度な専門知識を継承し、半導体技術の発展に尽力しています。国内外の学会で活躍する技監をご紹介します。

キオクシアは、NAND型フラッシュメモリの発明をはじめとする多くの「世界初」を積み重ね、イノベーションを生み出してきました。キオクシアは、「記憶」のテクノロジーリーダーとして、イノベーションを創出し続けるために、継続的に最先端の研究・技術開発での取り組みを続けていきます。

光る太陽と記憶するフラッシュメモリ　～3次元フラッシュメモリの動作原理～

3次元フラッシュメモリの動作原理を太陽が輝く仕組みと対比させ、わかりやすくCGで解説します。

キオクシアはフラッシュメモリとSSDのリーディングカンパニーとして、情報社会を支える研究・技術開発を行っています。
キオクシアの技術と社会の関わり、その基本となるフラッシュメモリの「技術」について分かりやすくご紹介します。

3次元フラッシュメモリの性能向上とコスト削減を実現するため、新たに開発したCMOS directly Bonded to Array（CBA）技術についてご紹介します。

キオクシアは2007年に世界で初めて 3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。コスト低減の実現につながったイノベーションポイント、さらなる大容量化への取り組みを最先端技術の紹介とともにお届けします。

キオクシアは1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを発明しました。フラッシュメモリの構造と、データを記憶するメカニズムを説明します。

「多値化技術」はフラッシュメモリを構成する各メモリセルに1ビットより多くのデータを記憶させる技術です。これにより、同じメモリチップ数で、容量を倍以上に増やすことができます。

キオクシアで研究開発を進めている最新技術など参考になるトピックスをわかりやすく解説します。

キオクシアでは「記憶」の技術で業界をリードする研究・技術開発体制を敷いています。各拠点を活用し、 オープンイノベーションを推進しながら技術革新を行っています。

キオクシアでは、多様化する研究テーマに対応するために、国内外の大学や技術団体、研究所との研究開発を進めています。

部門の垣根を越えて語り合い、切磋琢磨 する。それがキオクシアのエンジニアです。 （新卒採用サイトにリンクします）

キオクシアには、共に感動体験を分かちあえるエンジニア、マネージャーがいます。 （キャリア採用サイトにリンクします）

最先端の技術開発を担う女性エンジニア、その多様な働き方をご紹介します。 （新卒採用サイトにリンクします）