3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」

キオクシアは、次世代ストレージアプリケーション向けに、フラッシュをベースとした製品を提供しています。35年以上前にNAND型フラッシュメモリを発明したキオクシアは、現在世界最大のフラッシュメモリサプライヤーの1つであり、その技術力を高め続けています。

キオクシアは革新的なBiCS FLASH™技術で時代をリード

3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」第8世代は、218 層と CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術が特長です。これは高性能スマートフォンやPC、SSD、データセンターなど、データ中心のアプリケーションのニーズに応えるアーキテクチャのイノベーションです。高性能、高密度、コスト効率が要求される製品にキオクシアの3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」が応えます。

KIOXIA BiCS FLASH™ generation 8 Infographic

フラッシュメモリの技術革新

キオクシアのBiCS FLASH™ 第８世代は、垂直方向の縮小と平面方向の縮小の最適なバランスを見つけることでGB密度を効率よく高め、優れた投資効率を実現しています。

BiCS FLASH™ 第8世代の技術 – CBA（CMOS Directly Bonded to Array）

CBAとは、CMOS回路用ウエハーとメモリセルアレイ用ウエハーをそれぞれに適した工程で製造し貼合する技術です。これにより、NAND I/O速度とビット密度向上の双方を実現すると共に、I/O速度とメモリセル信頼性のトレードオフを排除。電力効率、性能、密度、コスト効率、持続可能性を大幅に向上しました。⁽¹⁾

BiCS FLASH™ 第8世代についてもっと知る

CBA技術についてもっと知る

BiCS FLASH™ generation 8 Enhancements (over previous generation)

インタビュー

2枚のウエハーを高精度に貼り合わせて高密度化ストレージに新たな価値をもたらす3次元フラッシュメモリ

CBA技術を採用したキオクシアの「BiCS FLASH第8世代」

近年、メモリセルを“高層化”して記憶密度を高める技術の開発は、各フラッシュメモリメーカーで特に活発になっている。新しい世代のフラッシュメモリが発表されるたびに層数が増え、200層を超える製品もある。ただし、キオクシアのメモリ事業部長である井上敦史氏は、「メモリセルの“高層化”は、あくまでも大容量化や記憶密度向上の一つの方法であって、われわれは積層数の増加のみにこだわっていない」と語る。