3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」

キオクシアは、次世代ストレージアプリケーション向けに、フラッシュをベースとした製品を提供しています。35年以上前にNAND型フラッシュメモリを発明したキオクシアは、現在世界最大のフラッシュメモリサプライヤーの1つであり、その技術力を高め続けています。

キオクシアは革新的なBiCS FLASH™技術で時代をリード

3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」第8世代は、218 層と CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術が特長です。これは高性能スマートフォンやPC、SSD、データセンターなど、データ中心のアプリケーションのニーズに応えるアーキテクチャのイノベーションです。高性能、高密度、コスト効率が要求される製品にキオクシアの3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」が応えます。

KIOXIA BiCS FLASH™ generation 8 Infographic

BiCS FLASH™ 第8世代の技術 – CBA（CMOS Directly Bonded to Array）

CBAとは、CMOS回路用ウエハーとメモリセルアレイ用ウエハーをそれぞれに適した工程で製造し貼合する技術です。これにより、NAND I/O速度とビット密度向上の双方を実現すると共に、I/O速度とメモリセル信頼性のトレードオフを排除。電力効率、性能、密度、コスト効率、持続可能性を大幅に向上しました。⁽¹⁾

BiCS FLASH™ 第8世代についてもっと知る

CBA技術についてもっと知る

BiCS FLASH™ generation 8 Enhancements (over previous generation)

インタビュー

2枚のウエハーを高精度に貼り合わせて高密度化ストレージに新たな価値をもたらす3次元フラッシュメモリ

CBA技術を採用したキオクシアの「BiCS FLASH第8世代」

近年、メモリセルを“高層化”して記憶密度を高める技術の開発は、各フラッシュメモリメーカーで特に活発になっている。新しい世代のフラッシュメモリが発表されるたびに層数が増え、200層を超える製品もある。ただし、キオクシアのメモリ事業部長である井上敦史氏は、「メモリセルの“高層化”は、あくまでも大容量化や記憶密度向上の一つの方法であって、われわれは積層数の増加のみにこだわっていない」と語る。