3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」

キオクシアの3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」は、高性能スマートフォンやPC、データセンターなど、データ中心のアプリケーションのニーズに応えるイノベーションです。高密度・高性能への要求に応えるため、BiCS FLASH™は世代ごとに改良や技術的進歩を積み重ねながら、特定の用途や投資計画にも配慮して設計されています。 キオクシアの3次元フラッシュメモリ製品をお選びいただくことで、急速に進化する現代のテクノロジーツールやアプリケーションのストレージおよび性能要件に応えることができます。

各世代のBiCS FLASH™の製品は、持続可能な技術ソリューションを世界に提供するというキオクシアのミッションを支えています。

上の図に示されているように、キオクシアは密度、性能、電力効率などのさまざまな要件に対応するために設計された、複数世代のBiCS FLASH™製品を提供しています。キオクシアの二軸戦略、それは異なる市場ニーズに対応する2つの独立した3次元フラッシュメモリラインを開発するビジネス、および技術アプローチです。この戦略により、幅広い用途に高性能なフラッシュメモリを提供します。

BiCS FLASH™ 第8世代では、フラッシュメモリの製造プロセスに新たな技術であるCMOS directly Bonded to Array（CBA）とOn Pitch Select Gate（OPS）を導入することで、大幅な性能の向上を実現しています。つまりCBA技術とOPS技術は、密度・性能・電力効率の向上を実現する製造と設計の技術です。

BiCS FLASH™ 第8世代は、データ集約型アプリケーションやAI技術の急速な拡大によってストレージ要件が高まっているお客様にとって、理想的な技術ソリューションです。

BiCS FLASH™ 第9世代の512Gbおよび1Tb TLC（Triple-Level Cell）は、低～中容量のストレージ領域において、高性能と優れた電力効率を求めるアプリケーションをサポートするよう設計されています。 第9世代のBiCS FLASH™ 製品は、既存のCBA技術とOPS技術を活用して、生産効率を向上させた最先端のフラッシュメモリソリューションを提供します。

BiCS FLASH™ 第10世代の製品は、第9世代と同様のCMOS技術を活用しながら、メモリの積層数を増やすことで、今後の大容量・高性能ソリューションの需要に対応します。業界を牽引する332層（第8世代比で1.5倍）で、キオクシアはフラッシュメモリのビット密度と電力効率においてさらなる進化を続けています。