Please select your location and preferred language where available.
KIOXIA BG7シリーズ(M.2)
Client NVMe™ SSD
KIOXIA BG7シリーズは当社の第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ*を搭載した、最大容量2,048 GBのPCIe® Gen4 x4レーンインターフェイスの小型フォームファクターNVMe™ SSDです。インターフェイススピードの向上およびフラッシュメモリ管理、ホストメモリバッファ(HMB)などの技術改良により、小型フォームファクターSSDとしては高速なシーケンシャルリード最大7,000 MB/s、ランダムリード最大1,000K IOPSを実現しています。
本製品は256 GB、512 GB、1,024 GB、2,048 GBの4つの容量モデルを提供します。フォームファクターは抜き差し可能なモジュールタイプのM.2 2230、M.2 2242およびM.2 2280があります。超薄型PCやAI PCなど、小型で高速処理が求められる用途に適しています。また、自己暗号化機能(SED, TCG Opal version 2.01)に対応した機種も選択可能です。
- 容量256 GBの製品は第6世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ
ドキュメントダウンロード
主な特長
- キオクシア第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ搭載(容量256 GBは第6世代BiCS FLASH™)
- PCIe® 4.0、NVMe™ 2.0dに対応
- 最大容量2,048 GB
- M.2 Type 2230片面実装フォームファクター、M.2 Type 2242片面実装フォームファクター、M.2 Type 2280片面実装フォームファクター
- TCG Opal 2.01に対応したSEDオプションモデル
適した用途
- ウルトラモバイルPC
- AI PC
- 2-in-1 ノートPC
製品仕様
※表を左右にスクロールすることができます
| 基本モデル型番 | KBG70ZNS2T04 | KBG70ZNS1T02 | KBG70ZNS512G | KBG70ZNS256G |
|---|---|---|---|---|
| SED モデル型番 | KBG7BZNS2T04 | KBG7BZNS1T02 | KBG7BZNS512G | KBG7BZNS256G |
| 記憶容量 | 2,048 GB | 1,024 GB | 512 GB | 256 GB |
| 基本仕様 | ||||
| フォームファクター | M.2 2230-S3 片面モジュール | M.2 2230-S2 片面モジュール | ||
| インターフェイス | PCIe® 4.0, NVMe™ 2.0d | |||
| 最大インターフェイススピード | 64 GT/s (PCIe® Gen4 x4) | |||
| フラッシュメモリタイプ | BiCS FLASH™ TLC | |||
| 最大性能 | ||||
| シーケンシャルリード | 7,000 MB/s | 6,400 MB/s | ||
| シーケンシャルライト | 6,000 MB/s | 5,000 MB/s | 4,000 MB/s | |
| ランダムリード | 1,000 KIOPS | 850 KIOPS | 550 KIOPS | 500 KIOPS |
| ランダムライト | 1,000 KIOPS | 920 KIOPS | 850 KIOPS | |
| 電源要件 | ||||
| 電源範囲 | 3.3 V ± 5 % | |||
| 消費電力 (アクティブ) | 4.5 W typ. | |||
| 消費電力 (L1.2モード) | 3.0 mW typ. | |||
| 信頼性 | ||||
| MTTF | 2,000,000 hours | |||
| TBW | 1,200 | 600 | 300 | 150 |
| 寸法 | ||||
| 厚さ | 2.38 mm Max | 2.23 mm Max | ||
| 幅 | 22 mm ± 0.15 mm | |||
| 長さ | 30 mm ± 0.15 mm | |||
| 重量 | 3.2 g Max | |||
| 環境特性 | ||||
| 温度範囲 (動作時) | 0 ℃ to 85 ℃ | |||
| 温度範囲 (非動作時) | -40 ℃ to 85 ℃ | |||
| 相対湿度 (動作時) | 0 % to 90 % R.H. | |||
| 耐振動性 (動作時) | 196 m/s2 { 20 Grms } ( 20 to 2,000 Hz ) | |||
| 耐衝撃性 (動作時) | 14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms ) | |||
※表を左右にスクロールすることができます
| 基本モデル型番 | KBG70ZNT2T04 | KBG70ZNT1T02 | KBG70ZNT512G | KBG70ZNT256G |
|---|---|---|---|---|
| SED モデル型番 | KBG7BZNT2T04 | KBG7BZNT1T02 | KBG7BZNT512G | KBG7BZNT256G |
| 記憶容量 | 2,048 GB | 1,024 GB | 512 GB | 256 GB |
| 基本仕様 | ||||
| フォームファクター | M.2 2242-S3 片面モジュール | M.2 2242-S2 片面モジュール | ||
| インターフェイス | PCIe® 4.0, NVMe™ 2.0d | |||
| 最大インターフェイススピード | 64 GT/s (PCIe® Gen4 x4) | |||
| フラッシュメモリタイプ | BiCS FLASH™ TLC | |||
| 最大性能 | ||||
| シーケンシャルリード | 7,000 MB/s | 6,400 MB/s | ||
| シーケンシャルライト | 6,000 MB/s | 5,000 MB/s | 4,000 MB/s | |
| ランダムリード | 1,000 KIOPS | 850 KIOPS | 550 KIOPS | 500 KIOPS |
| ランダムライト | 1,000 KIOPS | 920 KIOPS | 850 KIOPS | |
| 電源要件 | ||||
| 電源範囲 | 3.3 V ± 5 % | |||
| 消費電力 (アクティブ) | 4.5 W typ. | |||
| 消費電力 (L1.2モード) | 3.0 mW typ. | |||
| 信頼性 | ||||
| MTTF | 2,000,000 hours | |||
| TBW | 1,200 | 600 | 300 | 150 |
| 寸法 | ||||
| 厚さ | 2.38 mm Max | 2.23 mm Max | ||
| 幅 | 22 mm ± 0.15 mm | |||
| 長さ | 42 mm ± 0.15 mm | |||
| 重量 | 3.8 g Max | |||
| 環境特性 | ||||
| 温度範囲 (動作時) | 0 ℃ to 85 ℃ | |||
| 温度範囲 (非動作時) | -40 ℃ to 85 ℃ | |||
| 相対湿度 (動作時) | 0 % to 90 % R.H. | |||
| 耐振動性 (動作時) | 196 m/s2 { 20 Grms } ( 20 to 2,000 Hz ) | |||
| 耐衝撃性 (動作時) | 14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms ) | |||
※表を左右にスクロールすることができます
| 基本モデル型番 | KBG70ZNV2T04 | KBG70ZNV1T02 | KBG70ZNV512G | KBG70ZNV256G |
|---|---|---|---|---|
| SED モデル型番 | KBG7BZNV2T04 | KBG7BZNV1T02 | KBG7BZNV512G | KBG7BZNV256G |
| 記憶容量 | 2,048 GB | 1,024 GB | 512 GB | 256 GB |
| 基本仕様 | ||||
| フォームファクター | M.2 2280-S3 片面モジュール | M.2 2280-S2 片面モジュール | ||
| インターフェイス | PCIe® 4.0, NVMe™ 2.0d | |||
| 最大インターフェイススピード | 64 GT/s (PCIe® Gen4 x4) | |||
| フラッシュメモリタイプ | BiCS FLASH™ TLC | |||
| 最大性能 | ||||
| シーケンシャルリード | 7,000 MB/s | 6,400 MB/s | ||
| シーケンシャルライト | 6,000 MB/s | 5,000 MB/s | 4,000 MB/s | |
| ランダムリード | 1,000 KIOPS | 850 KIOPS | 550 KIOPS | 500 KIOPS |
| ランダムライト | 1,000 KIOPS | 920 KIOPS | 850 KIOPS | |
| 電源要件 | ||||
| 電源範囲 | 3.3 V ± 5 % | |||
| 消費電力 (アクティブ) | 4.5 W typ. | |||
| 消費電力 (L1.2モード) | 3.0 mW typ. | |||
| 信頼性 | ||||
| MTTF | 2,000,000 hours | |||
| TBW | 1,200 | 600 | 300 | 150 |
| 寸法 | ||||
| 厚さ | 2.38 mm Max | 2.23 mm Max | ||
| 幅 | 22 mm ± 0.15 mm | |||
| 長さ | 80 mm ± 0.15 mm | |||
| 重量 | 6.3 g Max | |||
| 環境特性 | ||||
| 温度範囲 (動作時) | 0 ℃ to 85 ℃ | |||
| 温度範囲 (非動作時) | -40 ℃ to 85 ℃ | |||
| 相対湿度 (動作時) | 0 % to 90 % R.H. | |||
| 耐振動性 (動作時) | 196 m/s2 { 20 Grms } ( 20 to 2,000 Hz ) | |||
| 耐衝撃性 (動作時) | 14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms ) | |||
- 写真は掲載時におけるイメージです。
- 自己暗号化機能付きモデル (SED) のラインアップは、地域によって異なります。
- 記憶容量:1 MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
- IOPS: Input Output Per Second (1秒間に読み書きできる回数)
- TBW: Terabytes Written。定格寿命における総書き込み容量をテラバイトで表したもの。
- 読み出しおよび書き込み速度は、ホストメモリバッファ (HMB) 機能が「On」状態時の性能です。
- 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
- MTTF (平均故障時間) は製品寿命の保証や目安ではなく、製品の平均故障率から統計的に算出したものです。 実際の稼働時間はシステム構成、使用法、その他の要因により異なる場合があります。
- PCIeはPCI-SIGの商標です。
- NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
- その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
- 記載されている情報は、予告なく変更されることがあります。
サポート情報
過去の製品情報やホワイトペーパー、データシートなどがダウンロードできます。
半導体メモリやSSDなど、キオクシアの製品や技術に関わる用語を取り上げた技術用語集です。技術者・研究者の方から一般の皆さままでご活用いただけるよう解説しています。
法人向け製品(メモリチップ・SSD・SDメモリカード)に関する技術的なご質問、各種資料請求、サンプル・ご購入などは、こちらからお問い合わせください。