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Client NVMe™ SSD

KIOXIA BG6シリーズは当社の第6世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ*を搭載した、最大容量2,048 GBのPCIe® Gen4 x4レーンインターフェイスの小型フォームファクター NVMe™ SSDです。インターフェイススピードの向上およびフラッシュメモリ管理、ホストメモリバッファ(HMB)などの技術改良により、小型フォームファクターSSDとしては高速なシーケンシャルリード最大6,000 MB/s、ランダムリード最大900K IOPSを実現しています。

本製品は256 GB、512 GB、1,024 GB、2,048 GBの4つの容量モデルを提供します。フォームファクターは抜き差し可能なモジュールタイプのM.2 2230およびM.2 2280があります。超薄型PC、IoT組込み系システム、データセンターのサーバーブート用途など、小型で高速処理が求められる用途に適しています。また、自己暗号化機能(SED, TCG Opal version 2.01)に対応した機種も選択可能です。

 

  • 容量256 GB、512 GBの製品は第5世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ

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主な特長

  • キオクシア第6世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ搭載(容量256 GB、512 GBは第5世代BiCS FLASH™)
  • PCIe® 4.0、NVMe™1.4cに対応
  • 最大容量2,048 GB
  • M.2 Type 2230片面実装フォームファクターとM.2 Type 2280片面実装フォームファクター
  • TCG Opal 2.01に対応したSEDオプションモデル

適した用途

  • ウルトラモバイルPC
  • 2-in-1 ノートPC
  • IoT / 組込みデバイス
  • サーバー / ストレージブート用

製品仕様

モジュールタイプのM.2 2230パッケージ

※表を左右にスクロールすることができます

基本モデル型番KBG60ZNS2T04KBG60ZNS1T02KBG60ZNS512GKBG60ZNS256G
SED モデル型番KBG6AZNS2T04KBG6AZNS1T02KBG6AZNS512GKBG6AZNS256G
記憶容量2,048 GB1,024 GB512 GB256 GB
基本仕様
フォームファクターM.2 2230-S3 片面モジュールM.2 2230-S2 片面モジュール
インターフェイスPCIe® 4.0, NVMe™ 1.4c
最大インターフェイススピード64 GT/s (PCIe® Gen4 x4)
フラッシュメモリタイプBiCS FLASH™ TLC
最大性能
シーケンシャルリード6,000 MB/s4,800 MB/s4,400 MB/s
シーケンシャルライト5,300 MB/s5,000 MB/s4,000 MB/s3,000 MB/s
ランダムリード900K IOPS650K IOPS350K IOPS
ランダムライト900K IOPS850K IOPS700K IOPS
電源要件
電源範囲3.3 V ± 5 %
消費電力 (アクティブ)4.4 W typ.4.3 W typ.4.7 W typ.4.3 W typ.
消費電力 (L1.2モード)3.0 mW typ.
信頼性
MTTF1,500,000 hours
TBW1,200600300150
寸法
厚さ2.38 mm Max2.23 mm Max
22 mm ± 0.15 mm
長さ30 mm ± 0.15 mm
重量3.0 g Max2.9 g Max2.8 g Max2.7 g Max
環境特性
温度範囲 (動作時)0 ℃ to 95 ℃ (コントローラの表面温度)
温度範囲 (動作時)0 ℃ to 85 ℃ (ほかの部品の表面温度)
温度範囲 (非動作時)-40 ℃ to 85 ℃
相対湿度 (動作時)0 % to 90 % R.H.
耐振動性 (動作時)196 m/s2 { 20 Grms } ( 20 to 2,000 Hz )
耐衝撃性 (動作時)14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms )
モジュールタイプのM.2 2280パッケージ

※表を左右にスクロールすることができます

基本モデル型番KBG60ZNV2T04KBG60ZNV1T02KBG60ZNV512GKBG60ZNV256G
SED モデル型番KBG6AZNV2T04KBG6AZNV1T02KBG6AZNV512GKBG6AZNV256G
記憶容量2,048 GB1,024 GB512 GB256 GB
基本仕様
フォームファクターM.2 2280-S3 片面モジュールM.2 2280-S2 片面モジュール
インターフェイスPCIe® 4.0, NVMe™ 1.4c
最大インターフェイススピード64 GT/s (PCIe® Gen4 x4)
フラッシュメモリタイプBiCS FLASH™ TLC
最大性能
シーケンシャルリード6,000 MB/s4,800 MB/s4,400 MB/s
シーケンシャルライト5,300 MB/s5,000 MB/s4,000 MB/s3,000 MB/s
ランダムリード900K IOPS650K IOPS350K IOPS
ランダムライト900K IOPS850K IOPS700K IOPS
電源要件
電源範囲3.3 V ± 5 %
消費電力 (アクティブ)4.4 W typ.4.3 W typ.4.7 W typ.4.3 W typ.
消費電力 (L1.2モード)3.0 mW typ.
信頼性
MTTF1,500,000 hours
TBW1,200600300150
寸法
厚さ2.38 mm Max2.23 mm Max
22 mm ± 0.15 mm
長さ80 mm ± 0.15 mm
重量6.0 g Max5.9 g Max5.8 g Max5.7 g Max
環境特性
温度範囲 (動作時)0 ℃ to 95 ℃ (コントローラの表面温度)
温度範囲 (動作時)0 ℃ to 85 ℃ (ほかの部品の表面温度)
温度範囲 (非動作時)-40 ℃ to 85 ℃
相対湿度 (動作時)0 % to 90 % R.H.
耐振動性 (動作時)196 m/s2 { 20 Grms } ( 20 to 2,000 Hz )
耐衝撃性 (動作時)14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms )
  • 写真は掲載時におけるイメージです。
  • 自己暗号化機能付きモデル (SED) のラインアップは、地域によって異なります。
  • 記憶容量:1 MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
  • IOPS: Input Output Per Second (1秒間に読み書きできる回数)
  • TBW: Terabytes Written。定格寿命における総書き込み容量をテラバイトで表したもの。
  • 読み出しおよび書き込み速度は、ホストメモリバッファ (HMB) 機能が「On」状態時の性能です。
  • 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
  • MTTF (平均故障時間) は製品寿命の保証や目安ではなく、製品の平均故障率から統計的に算出したものです。 実際の稼働時間はシステム構成、使用法、その他の要因により異なる場合があります。
  • PCIeはPCI-SIGの商標です。
  • NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
  • 記載されている情報は、予告なく変更されることがあります。

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