新規メモリ開発

2018年8月28日

メモリ事業の製品ポートフォリオを広げ、ビジネスを拡大するための新規メモリの技術を開発中です。中でもファイルメモリの更なる大容量化・高集積化を実現するための新しいセル構造の提案や、新たな市場の創生も視野に入れた、各種の高速不揮発性メモリの技術開発などを行っています。例えばSTT-MRAM技術*1やReRAM技術*2に関してはそれぞれ学会発表時点で世界最大容量を達成しました*3

新規構造、新規材料を持つ新規メモリの実用化には高度なデバイス技術、プロセス技術、回路設計技術などが必要であり、日々新たな課題に挑戦していきます。

学会発表したメモリセルの構造(左 STT-MRAM、右ReRAM)
  1. スピン注入型磁気抵抗メモリ(2016年に4Gbit STT-MRAM技術をSK-hynix社と共同でIEDM学会に発表)
  2. 抵抗変化型メモリ(2013年に32Gbit ReRAM技術をSanDisk社と共同でISSCC学会に発表)
  3. それぞれ当社調べ