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イベントレポート: FMS 2025
AIの可能性を解き放つキオクシアのフラッシュストレージソリューションを紹介
米国サンタクララで開催されたフラッシュメモリとストレージに関する世界最大級のイベント、the Future of Memory and Storage (FMS) 2025には、メモリとストレージの未来を牽引する世界のイノベーターが集まりました。キオクシアは昨年に引き続き、展示や基調講演を行い、フラッシュメモリとSSDがスケーラブルで効率的なAI(人工知能)インフラにどのように貢献しているかを紹介しました。新製品の紹介、マイルストーンの発表や、基調講演を含む教育セッションを通じて、AIの可能性を解き放つキオクシアの最新ソリューションを強くアピールしました。
キオクシアの基調講演:フラッシュメモリ技術とストレージソリューションでAIインフラ投資を最適化
キオクシア株式会社のメモリ事業部メモリ応用技術統括部技術統括部長 松寺克樹と、キオクシアアメリカ社のSSDビジネス・ユニット部門シニア・バイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャー ネビル・イチャポリアが登壇し、FMS2025の幕開けとなる基調講演を行いました。
KIOXIA LC9シリーズSSDがMost Innovative Technology部門でBest of Show Awardを受賞
キオクシアのSSDとメモリ技術による技術イノベーションを高く評価
AI時代へのストレージのブレイクスルー
キオクシアの今回の出展の目玉は、業界初*の大容量245.76 TBのKIOXIA LC9シリーズ NVMe™ SSDの初披露でした。生成AI環境への性能・効率の需要に対応するため開発されたこの画期的なドライブは、「Most Innovative Technology」部門で「Best of Show Award」を受賞しました。
また、第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを搭載したKIOXIA CM9シリーズ、KIOXIA CD9Pシリーズも紹介しました。これらの製品によるソリューションは、データセンターやエンタープライズアプリケーション、その他さまざまな環境でのAI学習や推論を支えるために必要な性能、消費電力、汎用性を提供します。
- 2025年8月6日時点、キオクシア調べ。
FMSでは、基調講演の他にも、Executive AI Premier Level Panelをはじめとするパネルディスカッションや教育セッションなど、イベント開催期間中に複数の講演セッションが行われます。キオクシアは多くのセッションに参加し、キオクシアの存在感を示しました。Executive AI Premier Level Panelセッションでは、「AI推論のためのメモリとストレージの拡張」と題し、「限界なくAIを拡張する」というメッセージを強調し、生成AI、機械学習、さらには厳しい負荷がかかるワークロードに対して適切なバランスを見つける方法についてさまざまな視点から意見を交換し議論しました。コスト効率から画期的なスケーラビリティまで、キオクシアのソリューションは企業にAIイノベーションを加速するための基盤を提供します。
キオクシアブースでの展示とライブデモ
キオクシアブースでは、来場者が最新のソリューションを間近で見てリアルな体験として感じていただけるよう、製品や技術のライブデモを行いました。
- 広がるユースケース - 大容量パッケージ/低遅延フラッシュメモリ:第8世代BiCS FLASH™ QLC 3次元フラッシュメモリを32枚積層した小型BGAパッケージ/CXL™インターフェース搭載のXL-FLASH
- 第9世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ:1 Tb(テラビット)ウエハーと512 Gbチップを搭載した小型BGAパッケージ
- 第10世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ:1 Tbウエハーとモデル
- KIOXIA UFS - 民生機器および車載機器:進化する市場向けの高性能ソリューション
- 大容量245.76 TB SSD 搭載のDell PowerEdge™ 7715:KIOXIA LC9シリーズ エンタープライズ NVMe SSD
- 性能と電力のデモ:KIOXIA CD9Pシリーズ データセンター NVMe SSD
- ML Perf Storageトレーニング:KIOXIA CM9シリーズ エンタープライズ NVMe SSD
- GPUダイレクトSSDエミュレーション:1億4,300万IOPSでのGPUダイレクトストレージデバイスの調査
- KIOXIA AiSAQソフトウェア:検索性能と回答精度の柔軟なバランスを実現
- RAIDオフロードとデータスクラビング:KIOXIA CM7シリーズ エンタープライズNVMe SSD
FMS 2025は、顧客やメディアをはじめとする、同じビジョンを持つパートナーの皆様とキオクシアの繋がりを築き、共にインフラの真の発展を実現するエコシステムを強化していくためのディスカッションをする最適な機会となりました。キオクシアのブースにお立ち寄りいただき、セッションにご参加いただいた皆様、ありがとうございました。
- SSDの記憶容量:1 MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1 TB =1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
- フラッシュメモリの容量:1 Tb (1テラビット) =1,099,511,627,776 (2の40乗)ビット、1 TB (1テラバイト) =1,099,511,627,776 (2の40乗)バイトとして計算しています。
- PCIe は、PCI-SIG の登録商標です。
- NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
- CXL は Compute Express Link Consortium, Inc. の商標です。
- Dell、PowerEdgeは、Dell Inc.またはその関連会社の商標です。
- UFS (Universal Flash Storage):JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。
- ギネス世界記録は、Guinness World Records Limitedの商標です。
- その他記載されている社名・製品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
- 本ページに掲載されている情報は、イベント開催時点の情報です。