第8世代BiCS FLASH™ TLCフラッシュメモリ技術を採用したエンタープライズ向けNVMe™ SSDを発表

キオクシア株式会社（以下、キオクシア）は第8世代BiCS FLASH™ 3次元 TLCフラッシュメモリを搭載した初のエンタープライズSSD である、NVMe™エンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」の試作品の参考展示を5月19日から22日までラスベガスで開催されるDell Technologies World で行います。

KIOXIA CM9シリーズは、AI、機械学習、ハイパフォーマンスコンピューティングなどのワークロードへの対応を求められている次世代データセンター向けに開発され、先進的な CMOS directly Bonded to Array（CBA）技術を活用した第8世代 BiCS FLASH™ TLC フラッシュメモリ を採用しています。CBA技術は、メモリセルの制御を担うCMOS回路とメモリセルアレイを別々のウエハーで作り込み、メモリセルアレイ側のウエハーを反転させて2枚のウエハーを貼り合わせる技術で、フラッシュメモリの速度向上、高密度化、および消費電力の低減を実現し、SSDの性能向上に貢献します。

KIOXIA CM9シリーズは、前世代機のKIOXIA CM7 シリーズと比較して、ランダムライトで約65%、ランダムリードで約55%、シーケンシャルライトで約95%の性能向上を実現しました。さらに、消費電力1ワットあたりの性能向上も実現しており、シーケンシャルリードで約55%、シーケンシャルライトで約75%の効率改善を達成しています。