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Enterprise NVMe™ High Capacity SSD

KIOXIA LC9シリーズは、AIシステムにおけるトレーニングやインファレンス、データレイクなどを実現する大容量SSDです。

当製品は、キオクシアの第8世代BiCS FLASH™ QLCフラッシュメモリを搭載、KIOXIA LC9シリーズの最大容量245.76 TBをサポートします。SSDの記憶密度を高めることで、電力効率を改善しラックの省スペース化に大きく貢献すると同時に、総保有コスト(TCO)を削減し効率の良いシステムを実現します。

また、PCIe® 5.0および NVMe™ 2.0 テクノロジーを採用し、最大12,000 MB/s(シーケンシャルリード)、1,000 KIOPS(ランダムリード)と、読み出しにおいて安定した性能を実現します。

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主な特長

  • PCIe® 5.0、NVMe™ 2.0 規格準拠
  • Open Compute Project Datacenter NVMe™ SSD specification v2.5対応(一部未対応の仕様があります)
  • E3.Lフォームファクター、厚さ7.5 mm
  • 第8世代BiCS FLASH™ QLC フラッシュメモリ搭載
  • キオクシア独自のアーキテクチャー:コントローラ、ファームウェアおよびBiCS FLASH™
  • 高可用性アプリケーションに適したデュアルポート設計
  • パワーロスプロテクション(PLP)、エンドツーエンドのデータプロテクション
  • エンタープライズアプリケーション 24 h × 7 days要求に対応
  • セキュリティオプション: SIE、SED、FIPS SED[1][2][3][4][5]
  • TCG Opal 2.02に対応したSEDオプションモデル

適した用途

  • データレイク
  • AIシステム
  • 機械学習アプリケーション
  • スケールアウトストレージ

製品仕様

※表を左右にスクロールすることができます

SIE モデル型番RLC9CZV245T
SED モデル型番RLC9EZV245T
FIPS SED モデル型番RLC9GZV245T
記憶容量245.76 TB
IUサイズ16 KiB
基本仕様
フォームファクターE3.L
インターフェイスPCIe® 5.0, NVMe™ 2.0
最大インターフェイススピード128 GT/s (PCIe® Gen5 single x4, dual x2)
フラッシュメモリタイプBiCS FLASH™ QLC
最大性能
Sustained 128 KiB シーケンシャルリード12,000 MB/s
Sustained 128 KiB シーケンシャルライト3,500 MB/s
Sustained 4 KiB ランダムリード1,000 KIOPS
Sustained ランダムライト45 KIOPS
@ 16 KiB
電源要件
電源範囲12 V ± 10 %, 3.3 V ± 15 %
消費電力 (アクティブ)30 W typ.
消費電力 (レディ)5 W typ.
信頼性
MTTF2,500,000 hours @ 0 ℃ to 50 ℃
2,000,000 hours @ 0 ℃ to 55 ℃
保証5 years
DWPD0.075 @ 4 KiB
0.3 @ 16 KiB
寸法
厚さ7.5 mm +0.2 / -0.5 mm
76 mm ± 0.25 mm
長さ142.2 mm ± 0.4 mm
重量160 g Max
環境特性
温度範囲 (動作時)0 °C to 75 °C
温度範囲 (非動作時)-40 °C to 85 °C
相対湿度 (動作時)5 % to 95 % R.H.
耐振動性 (動作時)21.27 m/s2 { 2.17 Grms } ( 5 Hz to 800 Hz )
耐衝撃性 (動作時)9.8 km/s2 { 1,000 G } ( 0.5 ms )
  • 写真は掲載時におけるイメージです。
  • 記憶容量:1 MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
  • IUサイズ : Indirection Unit Size。NANDフラッシュメモリ上にあるユーザーデータのアドレスを管理する、FTLマッピングテーブルの最小単位です。
  • GT/s:Giga Transfers per second (実効データのみの転送速度)
  • 1キビバイト (KiB) は、1,024バイト (2の10乗) として計算しています。
  • MTTF (平均故障時間) は製品寿命の保証や目安ではなく、製品の平均故障率から統計的に算出したものです。 実際の稼働時間はシステム構成、使用法、その他の要因により異なる場合があります。
  • DWPD: Drive Writes Per Day。 総書き込み容量 (TBW) をドライブユーザー容量 (TB) と定格寿命の日数で除した値です。ドライブ容量を1単位として、平均して毎日何単位書き込むと定格寿命到達時に総書き込み容量 (TBW) に達するかを示しています。
  • 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
  • すべてのランダム書き込み性能は、各モデルに定義されたIUサイズを最小単位とするランダム書き込みのワークロードに基づいています。
  • IOPS:Input Output Per Second (1秒間に読み書きできる回数)
  • 温度 (動作時): SMARTにより報告される温度で規定されます。
  • [1] Sanitize Instant Erase (SIE), Self-Encrypting Drive (SED), FIPS (Federal Information Processing Standards) SEDの3つのセキュリティオプションモデルを用意しています。
  • [2] SIE オプションモデルはINCITS(情報技術規格国際委員会)の技術委員会SCSI(旧T10)で規格化されている Cryptographic Erase をサポートしています。
  • [3] SED オプションモデルは TCG Opal SSCとTCG Ruby SSCをサポートしていますが、TCG Opal SSCの一部機能は未サポートです。詳細な情報は「お問い合わせ」よりお問合せください。
  • [4] FIPS SEDオプションモデルでは、アメリカ国立標準技術研究所 (NIST) が発行するFIPS 140-3のセキュリティ要件に準拠するように設計された暗号モジュールを採用しています。認証取得の最新状況については、「お問い合わせ」よりお問合せください。
  • [5] セキュリティオプションモデルは、輸出規制や法規制等により一部の国ではご利用いただけません。
  • 記載されている情報は、予告なく変更されることがあります。
  • PCIeはPCI-SIGの商標です。
  • NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
  • その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

サポート情報

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