民生・産業機器用UFS 4.1/3.1

キオクシアのUFS（ユニバーサルフラッシュストレージ）は、モバイルアプリケーションに最適な組み込み式ストレージとして設計され、さまざまなデジタル家電製品で要求される超高速な読み込み/書き込み、低消費電力により、アプリケーション立ち上げ時間の短縮に貢献します。 

キオクシアのUFS 4.1/3.1ソリューションはJEDEC®に準拠し、３次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」とコントローラをJEDEC標準パッケージに搭載しています。

組み込み式ストレージ技術の新時代を牽引するキオクシアのUFSは、従来のフラッシュメモリ技術のスタンダードを超えるイノベーションを実現し、より高速で効率性の高いアプリケーションを実現します。

キオクシア UFS 4.1 メモリ製品（動画） モーダルウィンドウ

キオクシア UFS 4.1の特長と利点

UFS 4.1は、次世代スマートフォンやモバイルアプリケーションがAIや5Gモバイルネットワークを活用できるよう、超高速の組み込みストレージ転送速度を提供。MIPI® M-PHY® 5.0 High-Speed Gear 5およびUniPro® version 2.0を搭載し、1レーンあたり最大23.2Gbps、デバイスで最大46.4Gbps(1)の理論インターフェイス速度をサポートします。UFS 4.1は、UFS 3.1と下位互換性があるため、UFS 3.1対応プラットフォームにおいても使用できます。

特長

  • 高速シリアルインターフェース速度
  • 高速読み込み／書き込み
  • 最適な電力効率
  • 全二重通信方式に対応（読み出し・書き込みの同時動作対応）
  • 少ピン数設計
  • 9x13mm BGA パッケージ
  • JEDEC標準
  • 256GB、512GB、1TB(2)

 

UFS 4.1とUFS 3.1の性能比較

より高速なパフォーマンス(3)

UFS 4.1製品では、シーケンシャルリードおよびライト性能は当社UFS3.1製品*と比べてそれぞれ約100%、約150%向上しています。WriteBooster技術により、シーケンシャルライトの速度が向上し、ダウンロードの高速化、ハイビジョンビデオの録画、モバイルゲームの高速化を実現します。

* 当社UFS3.1 512GBの製品「THGJFGT2T85BAIU」

UFSサイズ比較

小型パッケージサイズ

UFS 4.1は、9mm x 13mmの小型パッケージをサポートしており、UFS 3.1と比較してサイズが18%小さく、モバイルアプリケーションにおけるさらなる省スペース化を実現し、携帯電話をより小さく、よりスマートにすることが可能です。

キオクシア UFS 3.1 の特長

  • シリアルインターフェース
  • 高速読み込み/書き込み
  • 少ピン数設計
  • 128GB、256GB、512GB(2)
  • 11 x 13mm 153ボール BGAパッケージ
  • JEDEC標準

UFS 4.1とUFS 3.1の違い

キオクシアでは、コントローラ搭載フラッシュメモリ製品として、UFS 5.0、 UFS 4.1とUFS 3.1 をラインアップしています。これらのソリューションは、当社がフラッシュメモリの各技術世代毎に最適化したECCなどの制御機能を提供します。UFSはホストプロセッサへの負荷を低減し、製品開発の簡略化、タイムリーな市場投入、メモリ製品の操作性向上に貢献します。

UFS 3.1に対するUFS 4.1の利点：

  • 高速なインターフェース
  • 高速データ読み込み/書き込み
UFS 4.1は3.1より2倍高速

なぜキオクシアのUFSなのか？

キオクシアUFSのリリースタイムライン キオクシアUFSのリリースタイムライン

キオクシアは、UFS 5.0製品をリリースすることにより、技術革新を牽引し、現代の組み込み式ストレージへのますます高まる速度、効率性への要求に応えています。長年の技術的リーダーシップを基に、キオクシアのUFS 5.0は、スマートフォンにおけるオンデバイスAIやその他の高性能コンピューティングシステムなど、要求の厳しいアプリケーション向けに設計されています。

キオクシアの最新世代UFS 5.0

UFS 5.0は、組み込み式ストレージの技術を次のレベルへと引き上げ、次世代のスマートフォン、タブレット、AI対応のモバイル機器に向けて、さらに高速なデータ転送と電力効率の向上を実現します。UFS 5.0は、MIPI M-PHY version 6.0 High-Speed Gear 6およびUniPro version 3.0を採用しており、デバイスで理論上最大10.8GB/s(1)（10,830 MB/s）のインターフェース速度をサポートします。UFS 5.0は、UFS 4.1との下位互換性があるため、既存のプラットフォームとシームレスな統合が可能で、性能の向上、最新のフラッシュメモリ技術への対応を提供します。

UFS 5.0についてもっと知る

キオクシアUFS 4.1/3.1のキーテクノロジー

WriteBoosterの機能

WriteBoosterは、既存のユーザーデータ領域を一時的なSLCバッファとして利用することで、容量を犠牲にすることなく、書き込み性能を向上させます。SLCバッファの最大サイズは、デバイス構成時にホスト側で設定可能で、バッファが一杯になるまでデータを書き込むことができます。この機能は、5Gなどのアプリケーションのシステム性能の要求に応じて、ホストが動作中にダイナミックに使用可能です。

High Speed Link Startup Sequence（HS-LSS）サポート**

従来のUFSでは、デバイスとホストのLink Startup（M-PHYおよびUniProの初期化シーケンス）を低速のPWM-G1（3～9Mbps）***で行っていましたが、HS-LSSを使用することでより高速なHS-G1 Rate A（1248Mbps）で行うことができます。これにより、Link Startupにかかる時間を従来に比べて、およそ70%短くすることが期待されます。

** UFS 4.1のみ対応のキーテクノロジー
*** PWM-G1通信速度は製品により異なります。

先進のテクノロジー

キオクシアのUFS製品は、高性能BiCS FLASH™ ３次元フラッシュメモリ技術を採用し、パフォーマンスの最適化を図っています。

キオクシアUFS 4.1/3/1の主な用途

クライアント・コンピューティング

ノートPC / Ultrabook™ / タブレット / デスクトップ PC / ゲーミングPC

モバイル機器

スマートフォン、スマートウォッチ、スマートグラス

民生機器

ゲーム機器 / スマートテレビ / バーチャルリアリティヘッドセット / セットトップボックス / ビデオレコーダ / スマートスピーカー / スマートホーム / ウェアラブル機器 / 健康管理機器 / ホームネットワーキング

産業機器

オートメーション / デジタルヘルスケア / 交通運輸 / 監視カメラ / ロボット / ドローン / セキュリティ / デジタルサイネージ / ネットワーク（5Gエリアネットワーク） / POS（Point of Sales)

ドキュメント

KIOXIA UFS 4.1 Storage of Choice for the Future of Mobile and Computing Platforms Infographic (PDF : 1.4MB) PDF UPDATED
KIOXIA Universal Flash Storage (UFS) Product Brief (PDF : 268KB) PDF UPDATED
Use Cases for Universal Flash Storage Tech Brief (PDF : 918KB) PDF UPDATED
Understanding the WriteBooster Feature Tech Brief (PDF : 487KB) PDF
Understanding TBW versus P/E Cycles in Managed Flash Memory Tech Brief (PDF : 1.5MB) PDF
Introducing Replay Protected Memory Block (RPMB) within the e-MMC and UFS Specifications Tech Brief (PDF : 382KB) PDF
Understanding ECC (Error Correction Code) in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 448KB) PDF
Understanding Bad Block Management in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 243KB) PDF
Understanding Wear Leveling in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 324KB) PDF NEW
Understanding Garbage Collection in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 873KB) PDF NEW
Understanding Logical Block Address to Physical Block Address Translation in NAND Flash Memory Tech Brief (PDF : 983KB) PDF NEW

UFS 4.1/3.1仕様

UFS 4.1

※表を左右にスクロールすることができます。

容量（2） 品番 UFS
バージョン		 最大
転送速度
（MB/s）		 電源電圧 動作
温度
(℃)		 パッケージサイズ
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
256GB THGJFRT1E45BATV 4.1 4640 2.4 to 2.7 1.14 to 1.26 -(4) -25 to 85 9.0x13.0x0.8
512GB THGJFRT2E48BATV 9.0x13.0x0.8
1TB THGJFRT3E88BATW 9.0x13.0x0.85

UFS 3.1

※表を左右にスクロールすることができます。

容量（2） 品番 UFS
バージョン		 最大
転送速度
（MB/s）		 電源電圧 動作
温度
(℃)		 パッケージサイズ
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
128GB THGJFPT0E18BAIP 3.1 2320 2.4 to 2.7,
2.7 to 3.6		 1.14 to 1.26 -(4) -25 to 85 11.0x13.0x0.8
256GB THGJFPT1E28BAIP
512GB THGJFPT2E48BAIP
  1. 1Gbpsを1,000,000,000ビット/秒、1GB/sを1,000,000,000 バイト/秒、1MB/sを1,000,000 バイト/秒として計算しています。これはインターフェース速度から計算された理論値であり、ユーザーのデバイスの速度が保証されるわけではありません。読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
  2. 製品容量は、各製品内に搭載するフラッシュメモリチップの容量に基づいたものであり、エンドユーザーがデータストレージとして使用可能な総容量とは異なります。エンドユーザーが使用可能な容量は、制御データエリア、フォーマット、不良ブロックその他の制約のために製品容量より少なくなります。 また、ホスト機器やアプリケーションによって変動することがあります。詳細については、製品仕様書をご覧ください。1KB（1キロバイト） = 2^10バイト = 1,024バイト、1Gb（1ギガビット） = 2^30 ビット = 1,073,741,824 ビット、1GB（1ギガバイト） = 2^30 バイト = 1,073,741,824バイト、1Tb（1テラビット） = 2^40 ビット = 1,099,511,627,776 ビットとして計算しています。
  3. 性能の数値は内部テストに基づいています。実際の結果は、ホストデバイス、使用パターン、その他の条件によって異なる場合があります。
  4. 本製品はVCC、VCCQによる2電源動作に対応しています。VCCQ2は必要ありません。

 

  • JEDECはJEDEC Solid State Technology Associationの登録商標です。
  • MIPI®、M-PHY®およびUniPro®は、MIPI Allianceが所有する登録商標です。
  • Ultrabook は、Intel Corporation またはその子会社の商標です。

サポート情報

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