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イベントレポート: FMS 2026
AI時代の革新をもたらすキオクシアのフラッシュストレージ
米国サンタクララで開催されたフラッシュメモリとストレージに関する世界最大級のイベント、the Future of Memory and Storage (FMS) 2026には、メモリとストレージの未来を牽引する世界のイノベーターが集まりました。FMSは、高度なメモリとストレージ技術を活用して、AIシステム、データセンター、ハイパースケーラーといった企業がこれまでにない規模、速度、効率で運営できるように加速して移行することを使命としています。
キオクシアは、エグゼクティブ・プレミアスポンサーとして、基調講演、エグゼクティブパネルディスカッション、技術セッション、技術デモンストレーションに参加し、次世代AIインフラに必要な性能、スケーラビリティ、効率性を支えるイノベーションについて紹介しました。業界各社が様々な技術革新を訴求する中、当社は次世代AIの実現に不可欠なフラッシュメモリやストレージ技術を通じて高性能化、大容量化をサポートすることに注力しています。データセンターからエッジまで、キオクシアはAIアプリケーションの進化を支え、企業の運営モデルや市場競争環境などの変革に貢献します。
キオクシアの基調講演
キオクシア株式会社のメモリ事業部メモリ応用技術統括部技術統括部長の松寺克樹と、キオクシアアメリカ社のSSDビジネス・ユニット部門シニア・バイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャー ネビル・イチャポリアが登壇し、FMS2026の幕開けとなる基調講演を行いました。松寺はフラッシュメモリの担う新たな役割について、ネビルはAIの価値創出を支えるSSDの最前線について説明しました。
フラッシュメモリはメインメモリの拡張にどう貢献するか
フラッシュメモリは、DRAMの容量を補完するために活用することができます。多くのアプリケーションでは、全体の約20%のデータにアクセスの約80%が集中すると言われています。それ以外のデータは、それほど頻繁には使われません。
そこで、アクセス頻度の高いデータはフラッシュメモリに配置することで、DRAMを補完しながらメモリ容量を拡張しコスト効率の高いシステムを実現できます。
SSD進化の主要な方向性
キオクシアは、生成AIの普及によってストレージに求められる役割がどのように変化しているかを調査してきました。その結果、SSDは「より多くのデータを保存するための大容量化」と「より速く処理するための高速化」という2つの軸を中心に、4つの方向へ進化していることを示しました。
その進化を支えるのが、フラッシュメモリとSSDの技術革新です。用途に応じて最適化された新しいSSDが、学習から推論まで、生成AI時代の多様なワークロードを支えています。
KIOXIA GPシリーズの最新のロードマップ
1,000万IOPS(1秒間に処理できるデータの読み書き回数)という性能は非常に大きな成果ですが、キオクシアはその先を見据えています。昨年、高速エミュレーターを用いて示したPCIe® 7.0時代の目標である1億IOPSの実現に向け、開発を進めています。
この圧倒的な性能を可能にするのが、キオクシア独自の低遅延フラッシュメモリ技術「XL-FLASH™」です。
KIOXIA GPシリーズSSDがSpecialized Storage部門でBest of Show Awardを受賞
受賞したキオクシアSSDおよびメモリ技術
* 2026年3月16日時点、キオクシア調べ。
AI時代の革新的なフラッシュベースのストレージソリューション
キオクシアは、FMS2026に合わせて新たなフラッシュメモリとSSDソリューションとして、液冷対応のKIOXIA CM10シリーズPCIe® 6.0エンタープライズSSDとKIOXIA NX1シリーズSSDを発表しました。AIやモダンデータセンター(AIやクラウドなどの最新技術に対応した次世代の仕組みや施設)環境向けに設計されたKIOXIA CM10シリーズSSDは、BiCS FLASH™第10世代フラッシュメモリを使用した初のエンタープライズSSDです。また、KIOXIA NX1シリーズは新たなE1.S フォームファクターを採用した新世代のPCIe 5.0 NVMe™データセンターSSDです。また、キオクシアは次世代AI対応のモバイルやエッジデバイス向けに性能、効率、容量を提供するUFS 5.0組込みフラッシュメモリソリューションも発表しました。
プレスリリース
新製品の発表や基調講演に加え、キオクシアは、フラッシュメモリ、SSD、計算ストレージ、CXL™インターフェース、NVMe™プロトコル、およびその他の次世代ストレージアーキテクチャなど、AIインフラの将来を担う技術についてのインサイトをこのイベントを通じてさまざまなセッションやパネルで参加者に共有しました。
キオクシアブースでの展示とライブデモ
キオクシアブースでは、来場者が最新のソリューションを間近で見てリアルな体験として感じていただけるよう、製品や技術のライブデモを行いました。
- KIOXIA NX1シリーズ:AI向け液冷対応データセンターNVMe™ SSD
- KIOXIA CM9シリーズ:エンタープライズNVMe™ SSDによるAI推論性能向上のためのコンテキストメモリキャッシング
- KIOXIA CM10シリーズ:PCIe® 6.0対応エンタープライズNVMe™ SSD
- KIOXIA GP1シリーズ:GPU近接ワークロード向け1000万IOPSの512バイトランダムリード性能のSuper High IOPS SSD
- オープンソースソフトウェアKIOXIA AiSAQ™:AI推論向けベクトルデータベースの拡張性向上
- KIOXIA LC9シリーズ:245.76 TB NVMe™ SSDによる大規模データセットの高速検索向け大容量QLCストレージ
- UFS 5.0:AI対応の高性能モバイルメモリソリューション
- XL-FLASH™搭載CXL™メモリモジュール:XL-FLASH™によるメモリ拡張ソリューション
- 第10世代BiCS FLASH™:CMOS directly Bonded to Array (CBA)技術と横方向微細化技術の強化による332層構造
- 低遅延QLCフラッシュメモリ:AIアプリケーション向け32ダイ積層の大容量BGAパッケージ
キオクシアは、元メジャーリーガーで、2度のワールドチャンピオンや4度のオールスター選手に選出された経験を持つハンター・ペンス氏とコラボレーションし、AIの活用がもたらす新たな機会とキオクシアのソリューションが今日のゲームチェンジャーをどのように支えているかを紹介しました。ペンス氏はキオクシアの基調講演への出演に加えて、キオクシアブースでも来場者と交流し、印象深い体験を生み出しました。
今年のFMSでは「ゲームチェンジャー」をテーマとしたコラボレーションが大きな成果をあげました。AIはビジネスの運営モデル、市場競争、問題解決の手法を刷新する機会をもたらし、それに伴い、アプリケーションインフラも進化させていく必要があります。キオクシアは、革新的なフラッシュメモリとSSD技術を通じて、この変革の実現を支えています。FMSの期間中、キオクシアのブースにお立ち寄りいただいた皆様、セッションにご参加いただいた皆様、貴重なアイデアや意見を共有してくださった皆様に、心より感謝申し上げます。皆様との対話や活発な質疑応答こそが、このFMSをより価値のある素晴らしいものし、今後のさらなる可能性への期待を膨らませてくれました。
- SSDの記憶容量:1 MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1 TB =1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
- NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
- PCIe は、PCI-SIG の登録商標です。
- CXL は Compute Express Link Consortium, Inc. の商標です。
- その他記載されている社名・製品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
- 本ページに掲載されている情報は、イベント開催時点の情報です。