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Client NVMe™ SSD

KIOXIA XG6シリーズは当社の最新の96層積層プロセスを用いた3ビット/セル(TLC)3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を搭載しています。第4世代3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の技術とSLCキャッシュの特性により、最大 3,180 / 2,960 MB/sのシーケンシャルリード/ライト、最大 355,000 / 365,000 IOPSのランダムリード/ライトの転送速度を実現。更に、高速化と共に、XGファミリーの低消費電力デザインが生かされ、XG6 SSDのアクティブ消費電力は最大4.7 W、待機中の消費電力は3 mW以下になります。

低消費電力を必要とするモバイルPCや性能を重視するゲーミングPC、およびデータセンター環境のサーバブート、キャッシング、ロギング用途などに適しています。

本製品はコンパクトなM.2 2280片面実装タイプのフォームファクターを採用。256 GB、512 GB、1,024 GB三つの記憶容量モデルを提供します。それぞれ、オプションとしてTCG Opal Version 2.01を採用した自己暗号化機能付(SED)モデルも選択可能です。

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主な特長

  • 当社96層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™
  • PCIe® Gen3 x4, NVMe™に対応
  • 最大容量1,024 GB
  • M.2 2280片面実装
  • TCG Opal 2.01に対応 (SEDモデルのみ)

適した用途

  • 薄型高性能ノートPC
  • 高性能デスクトップPC
  • ゲーミングPC
  • データセンター環境のサーバブート、キャッシング・ロギング用途

製品仕様

※表を左右にスクロールすることができます

基本モデル型番KXG60ZNV1T02KXG60ZNV512GKXG60ZNV256G
SED モデル型番KXG6AZNV1T02KXG6AZNV512GKXG6AZNV256G
記憶容量1,024 GB512 GB256 GB
基本仕様
フォームファクターM.2 2280-S2 片面モジュール
インターフェイスPCIe® 3.0, NVMe™ 1.3a
最大インターフェイススピード32 GT/s (PCIe® Gen3 x4)
フラッシュメモリタイプBiCS FLASH™ TLC
最大性能
シーケンシャルリード3,180 MB/s3,100 MB/s3,050 MB/s
シーケンシャルライト2,960 MB/s2,800 MB/s1,550 MB/s
ランダムリード355K IOPS325K IOPS270K IOPS
ランダムライト365K IOPS355K IOPS335K IOPS
電源要件
電源範囲3.3 V ± 5 %
消費電力 (アクティブ)4.7 W typ.4.1 W typ.4.0 W typ.
消費電力 (L1.2モード)3.0 mW typ.
信頼性
MTTF1,500,000 hours
TBW600300150
寸法
厚さ2.23 mm Max
22.0 mm ± 0.15 mm
長さ80.0 mm ± 0.15 mm
重量7.3 g Max7.0 g Max
環境特性
温度範囲 (動作時)0 ℃ to 95 ℃ (コントローラの表面温度)
温度範囲 (動作時)0 ℃ to 85 ℃ (ほかの部品の表面温度)
温度範囲 (非動作時)-40 ℃ to 85 ℃
相対湿度 (動作時)0 % to 90 % R.H.
耐振動性 (動作時)196 m/s2 { 20 Grms } ( 20 Hz to 2,000 Hz )
耐衝撃性 (動作時)14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms )
  • 写真は掲載時におけるイメージです。
  • 自己暗号化機能付きモデル (SED) のラインアップは、地域によって異なります。
  • 記憶容量:1 MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
  • MTTF (平均故障時間) は製品寿命の保証や目安ではなく、製品の平均故障率から統計的に算出したものです。 実際の稼働時間はシステム構成、使用法、その他の要因により異なる場合があります。
  • TBW: Terabytes Written。定格寿命における総書き込み容量をテラバイトで表したもの。
  • 読み出しおよび書き込み速度は、SLC (1ビット/セル) キャッシュ機能が「On」状態時の性能です。
  • PCIeはPCI-SIGの商標です。
  • NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
  • その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

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