ハイパースケールデータセンター向けE1.L QLCベースSSDの開発について

1Uサーバー環境で高密度フラッシュストレージを実現する「KIOXIA LD4シリーズ」

  • 2026年10月9日
  • キオクシア株式会社

キオクシア株式会社は、同社として初めて、第8世代BiCS FLASH™ QLCフラッシュメモリを搭載したSSDにE1.Lフォームファクターを採用した「KIOXIA LD4シリーズ」を開発しました。AIを含むデータの需要が増え続ける中で、ハイパースケールデータセンターでは、限られたサーバースペースでより多くのストレージ容量を実現する高密度化が進んでいます。KIOXIA LD4シリーズは高密度の1Uサーバーやリードインテンシブな用途に適したストレージアプリケーション向けに設計されています。本製品は限定顧客向けにサンプル出荷を開始しており注1、2026年10月12日から15日にカリフォルニア州サンノゼで開催される2026 OCP Global Summitで展示されます。

データセンターSSD「KIOXIA LD4シリーズ」

KIOXIA LD4シリーズの主な特徴：

  • PCIe® 5.0 (Gen 4x4)注2、NVMe™ 2.0e仕様に準拠
  • Open Compute Project (OCP) Datacenter NVMe™ SSD Specification v2.6をサポート
  • ハイパースケールおよびデータセンタークラスのサーバー向けシングルポート設計
  • E1.L 9.5 mmフォームファクター、15.36 TB、30.72 TBに対応。最大122.88 TBまでの大容量化を可能にするアーキテクチャ採用
  • 第8世代BiCS FLASH™ QLCフラッシュメモリ採用
  1. 本サンプルは機能評価用です。本サンプルは量産時と仕様が異なる場合があります。
  2. PCIe® 5.0準拠、最大16 gigatransfers per second (GT/s) x4 インターフェーススピードをサポートしています。
  • 記憶容量：1 TB (1テラバイト) ＝1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
  • NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
  • OCP、Open Compute Projectは、the Open Compute Project Foundation の商標です。
  • PCIeはPCI-SIGの商標です。
  • その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

 

  • 本資料に掲載されている情報（製品の仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。