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車載用UFS 3.1
車載用UFS 3.1の特長
- IATF16949に準拠
- 車載部品規格への適合（AEC-Q100環境ストレス試験認定基準など）
- PPAP（製造部品承認プロセス）対応
- 広温度範囲（-40°C〜+105°Cなど)に対応
- 低不良率
- 車載グレードではないものと比較して、PCN（製品仕様変更通知）のリードタイムが長い
- 車載機器に求められる機能（ハンダ接合部の信頼性向上、チップの設定温度超過時の対策など）
- 64GB、128GB、256GB、512GB
モビリティの新時代に向けた車載用UFS 4.0 / 4.1
キオクシアの車載用UFS 4.0 / 4.1は、ますます高度になる車載アプリケーションをサポートする拡張機能を提供します。最大46.4Gbpsのインターフェース速度と幅広い容量ラインアップを備え、次世代の複雑な車載アプリケーションのニーズに応えていきます。
市場はe-MMC（パラレルインターフェース）からUFS（シリアルインターフェース）へ
UFSは、e-MMCに取って代わる高性能ストレージとしてJEDECにて規格化されました。現在UFSは、スマートフォン向けストレージとして主流であり、車載機器やその他の用途にも採用が広がっています。最終的には、車載機器向けストレージソリューションとしても、UFSがe-MMCに代わって主流になります。
UFSのマーケットトレンド
UFSはe-MMCに代わる高速なJEDEC規格です。スマートフォンはその性能の高さからUFSを採用し始めました。車載用も同様にUFSの採用が見込まれています。
UFSの魅力
簡単に言えば、UFSはe-MMCの後継規格。すでに性能面でe-MMCを大きく上回っていますが、今後、その差はますます開いていきます。
e-MMCと比較したUFSのメリット
- 高速なインターフェース
- 優れた読み出し・書き込み性能
- 大容量に対応
- 省電力性
ブートタイムの比較（64MBデータ出力時）
大容量ブートデータによるブートタイムの短縮は、車載アプリケーションにUFSを採用する大きな動機の1つです。
UFSは、高速シーケンシャルリードにより、他のストレージデバイスよりも起動時間を短縮することができます。
車載信頼性を支える多彩な車載用UFSの機能
- 熱制御機構：デバイスの温度が105°Cを超えると、デバイスのパフォーマンスが低下し、ホストプロセッサに通知してアクションを要求します。
- 高度な自己診断機能：UFSコントローラがWrite/Eraseサイクル、現在のデバイス温度などの状況をモニターし、ホストプロセッサに機器の状況を通知します。
- リフレッシュ機能：劣化したデータをリフレッシュし、データの信頼性を保ちます。
当社は、2013年に業界で初めて※UFS規格対応製品のサンプル出荷を果たすなど、いち早くUFSの開発に取り組んできました。
今後も車載機器の未来を切り拓いていきます。
※キオクシア調べ （2013年2月8日時点）
車載用UFS 3.1仕様
AEC-Q100グレード2(1)対応
※表を左右にスクロールすることができます。
| 容量 | 品番 | UFS version |
最大転送速度 （MB/s） |
電源電圧 | 動作 温度 (°C) (2) |
パッケージサイズ (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 64GB | THGJFGG9T15BAB8 | 3.1 | 2320 | 2.4 to 2.7, 2.7 to 3.6 |
1.14 to 1.26 | - (3) | -40 to 105 | 11.5x13.0x1.2 |
| 128GB | THGJFGT0T25BAB8 | |||||||
| 256GB | THGJFGT1T45BAB8 | |||||||
| 512GB | THGJFGT2T85BAB5 | 11.5x13.0x1.3 | ||||||
- AEC（Automotive Electronics Council）が規定する車載用電子部品品質認定要件
- Tc=115℃ max.
- 本製品はVCC、VCCQによる2電源動作に対応しています。VCCQ2を供給する必要はありません。
- 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。 メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（メモリ容量は1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）
サポート情報
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キオクシアは2007年に世界で初めて 3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。コスト低減の実現につながったイノベーションポイント、さらなる大容量化への取り組みを紹介します。
キオクシアは1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを発明しました。フラッシュメモリの構造と、データを記憶するメカニズムを説明します。
「多値化技術」はフラッシュメモリの大容量化を実現する主要技術の1つです。キオクシアは2001年に多値化技術を世界で初めてNAND型フラッシュメモリ製品に導入した1Gbit MLC NAND型フラッシュメモリを製品化しました。
