キオクシアとサンディスク、AIおよびデータ集約型アプリケーション向けの新しい高性能QLC 3次元フラッシュメモリ技術を発表

キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは、本日、AIインフラ向けのストレージ需要の増大に対応するため、QLC（Quad-Level-Cell、4ビット／セル）技術を用いた高性能2Tb（テラビット）第9世代3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。本技術は、アーキテクチャーの革新により、AIワークロードが求めるスピードへの対応と、より投資効率の高い生産を両立します。

両社独自のCMOS directly Bonded to Array（CBA）技術^注1を活用した本技術は、最新のCMOS回路と既存のメモリセルアレイを組み合わせるとともに、設計およびデバイスの改良技術を取り入れることで性能向上を実現しました。これにより、クラウドおよびデータ集約型アプリケーション向けの先進的なストレージソリューションの迅速な展開が可能になります。また、従来の第8世代2Tb QLC 3次元フラッシュメモリ技術と比較して、6プレーン構造の採用や性能向上技術により、書き込みと読み出しの帯域幅を向上させ、また、書き込み時と読み出し時の電力効率を改善しています。さらにNANDインターフェース速度は、第8世代比で33％向上となる4.8Gb/秒^注2を実現しました。

キオクシアの技術統括責任者である宮島秀史は、次のように述べています。「AIが基盤となって発展していく社会の中で、AIの活用は生成AIからエージェント型AIやフィジカルAIへと広がり、データ活用は多様化・高度化しています。キオクシアは既存世代のメモリセル技術と最新のCMOS技術を融合させた第9世代フラッシュメモリの開発を加速し、投資コストを抑えつつ高性能を実現していきます。」

サンディスクの最高技術責任者であるAlper Ilkbahar（アルパー・イルクバハール）は、次のように述べています。「AIの急速な普及により、ストレージインターフェースの移行が加速しており、従来の技術サイクルを上回るスピードで進化できるメモリ技術への需要が高まっています。第9世代QLC 3次元フラッシュメモリ技術は、CMOS技術とメモリ技術をそれぞれ独立して進化させることで、技術革新を加速するCBA技術ならではの柔軟性を実証しています。私たちは卓越した投資効率を維持しながら、新たな価値をより迅速に市場へ提供していきます。」

今回の第9世代QLC 3次元フラッシュメモリ技術の発表は、3次元フラッシュメモリのロードマップの進化における重要なマイルストーンであり、キオクシアとサンディスクの継続的な協業の成果を示すものです。両社は、CBA技術の柔軟性を最大限に活用することで、NAND技術革新の新たな可能性を広げ、AI時代において増大するストレージ需要への対応に貢献していきます。