キオクシアとサンディスク、業界最高のビット密度を実現する新しい3次元フラッシュメモリ技術を発表

キオクシア株式会社とサンディスクコーポレーションは本日、 QLC（Quad-Level-Cell、4ビット/セル）技術を用いた次世代の3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。本技術は、第8世代3次元フラッシュメモリ技術との比較で最大60％のビット密度向上を実現し、業界最高水準^注1の37Gb/mm²を超えるビット密度を達成するとともに、性能および電力効率も改善します。

本技術では、両社の革新的なCMOS directly Bonded to Array (CBA)技術^注2を採用しCMOSロジック回路とメモリアレイをそれぞれ別のウエハーに形成した後、その２つのウエハーを高精度に貼り合わせます。これにより、第8世代3次元フラッシュメモリと比較して読み出しおよび書き込み帯域幅を高めるとともに、QLC方式の3次元フラッシュメモリとして業界で初めて4.8Gb/s^注3のインターフェース速度を実現しました。

さらに、インターフェースの改良により、I/Oデータ転送時の電力効率も向上し、AIやクラウドインフラが直面する電力消費と冷却に関する課題に直接的に対応します。

キオクシア株式会社の技術統括責任者の宮島秀史は述べています。
「AIが基盤となって発展していく社会の中で、AIの活用は生成AIからエージェント型AIやフィジカルAIへと広がり、データ活用は多様化・高度化しています。QLC技術は、急速に増加するデータを効率的に保存することを可能にし、AIシステムの性能向上とスケーラビリティの実現をサポートします。キオクシアは、QLC技術を用いた第10世代フラッシュメモリの製品化に向けて開発を加速させます。」

サンディスクコーポレーションの最高技術責任者のAlper Ilkbahar（アルパー・イルクバハール）は述べています。
「AIの学習や推論、ハイパースケールデータセンター向けワークロードの拡大に伴い、データ生成量はかつてない速度で増加しています。その結果、ストレージ業界には、より大容量で高性能、かつ高いエネルギー効率を備えたソリューションが求められています。 QLC技術を用いた第10世代3次元フラッシュメモリは、QLC NANDの性能と効率の限界を押し広げることで、高密度化、高帯域化、エネルギー効率向上を同時に実現しました。そして、大容量フラッシュストレージの新たなパラダイムを確立し、次世代インフラストラクチャーアプリケーションに向けた拡張性の高い基盤を提供します。」

• 332層積層技術および設計の工夫により、第8世代との比較で最大60％のビット密度向上を実現し、37Gb/mm²超を達成
• Toggle DDR6.0およびSeparate Command Address（SCA）プロトコルを採用し、高速インターフェース性能を最大限に引き出す4.8Gb/s^注3のNANDインターフェース速度を実現
• CMOS directly Bonded to Array（CBA）技術により、高密度化、高性能化、および製造効率向上を実現
• Power-Isolated Low-Tapped Termination（PI-LTT）技術により、I/Oデータ出力転送時の電力効率を向上