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車載機器向けUFS 4.1準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷について
SDV (Software Defined Vehicle) におけるユーザー体験向上に貢献する高性能ストレージ
- 2025年7月31日
- キオクシア株式会社
キオクシア株式会社は、車載機器向けのJEDEC UFS[注1] Version 4.1インターフェースに準拠した組み込み式フラッシュメモリ(UFS 4.1製品)のサンプル出荷を開始しました[注2]。
新製品は、インフォテインメントシステム、ADAS(先進運転支援システム)[注3]、テレマティックス、ドメイン・コントローラーや、車載コンピューターなど、さまざまな次世代車載アプリケーションをターゲットにし、第8世代 BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリと自社設計のコントローラー技術により、性能や機能を向上させています。
UFS 4.1製品は、128GB、256GB、512GB、1TBの4つの容量タイプをラインアップし、AEC-Q100/104[注4] Grade2の要件を満たし、115℃までのケース温度をサポートすることで、車載機器に要求される信頼性の高い、高性能で高集積のストレージに適しています。
新製品は、当社UFS 3.1製品と比べ[注5]、シーケンシャルリードが約2.1倍、シーケンシャルライトが約2.5倍、ランダムリードが約2.1倍、ランダムライトが約3.7倍とそれぞれ性能向上しており、システムの起動時間の短縮やデータ処理の高速化など、SDV[注6]におけるユーザー体験の向上に貢献します。

その他の新製品の主な仕様
- UFS 4.1規格に準拠(UFS 4.0およびUFS 3.1と下位互換性あり)
WriteBoosterバッファのリサイズ機能やPinned Partial Flush Modeに対応し、パフォーマンスを最適化する柔軟性が向上 - 診断機能の強化
ベンダー固有のdevice health descriptorにより、容易にUFSデバイスの内部情報を取得可能 - 第8世代 BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを採用
新製品は、当社の車載機器向けUFS製品として初めてCBA(CMOS directly Bonded to Array))技術を活用した第8世代 BiCS FLASH™ を採用しています。CBA技術では、別々のウエハーで製造したCMOS回路とメモリセルアレイを貼り合わせることにより、フラッシュメモリの電力効率、性能、ビット密度の大幅な向上を実現しています。
- UFS (Universal Flash Storage):JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
- 6月に1TB、7月に128GB、256GBの出荷を開始しました。本サンプルは機能評価用であり、量産時と仕様が異なる場合があります。
- Advanced Driving Assistant System。
- AEC(Automotive Electronics Council:自動車向け電子部品評議会)が策定する集積回路の信頼性認定試験基準。
- UFS 3.1 512GB「THGJFGT2T85BAB5」とUFS 4.1 512GB「THGJFJT2E48BAB8」の比較。
- SDV (Software Defined Vehicle):ソフトウェアにより定義される車両。
- 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。
メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量(ユーザー領域)はそれぞれの製品仕様をご確認ください。(メモリ容量は1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。) - 1MB/sを1,000,000バイト/秒として計算しています。
- リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります。
- 記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
お問い合わせ先:
メモリ営業推進統括部
Tel: 03-6478-2423
- 本資料に掲載されている情報(製品の仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。