業界初注1UFS I/F搭載組込み式NAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始について

―UFS(Universal Flash Storage) Ver.1.1準拠64ギガバイト品―

  • 2013年 2月 8日
  • 株式会社東芝

当社は、スマートフォンやタブレットなどの携帯機器向けに、業界初となるUFS注2インタフェース搭載で、大容量64ギガバイトの組込み式NAND型フラッシュメモリのサンプル出荷を開始しました。本サンプルはJEDEC UFS Version 1.1注3に準拠した組込み式NAND型フラッシュメモリで、OSベンダ、ホストチップセットメーカ各社がUFSインタフェース評価・プロトコル確認を行うために開発したものです。

UFS I/F搭載組込み式NAND型フラッシュメモリ「THGLF0G9B8JBAIE」の写真です。

スマートフォンやタブレットなどの携帯機器を中心に、高画質動画や大容量データベースの加工・記録などのニーズをはじめ、通信速度やホストCPUの処理速度の高速化などにより、フラッシュメモリに対する市場の要求は増大しています。当社では、拡大を続ける携帯機器市場に向け、大容量かつ高性能なメモリ製品のラインアップを今後も強化し、UFSメモリの他容量帯への展開と量産開始を市場動向に合わせて順次計画していきます。
サンプルの概要

型名

容量

パッケージ

サンプル出荷

THGLF0G9B8JBAIE

64GB

169Ball 12×16×1.2mm FBGA

2013年1月

主な特長

JEDEC UFS Ver. 1.1規格に準拠したインタフェースを有しているため、NAND型フラッシュメモリの制御機能（書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバソフトウェアなど）をユーザが開発する必要がなく、開発負荷が軽減され、ユーザ側の開発期間の短縮にもつながります。
UFS インタフェースはシリアルインタフェースであり、Lane数注4および性能スケーラビリティを持っています。
JEDEC UFS Ver. 1.1規格に準拠した信号配置を持った12（縦）× 16（横）× 1.2（高さ）mmの小型FBGAパッケージに封止されています。

  1. 組込み式NAND型フラッシュメモリの製品として。2013年2月時点、当社調べ。
  2. Universal Flash Storage。JEDECが規定する組込み式ストレージメモリ標準規格。
  3. 2012年 6月に JEDEC より UFS Ver.1.1 規格発行済み。現在、JEDEC にてVer.2.0 規格策定中。
  4. UFS Ver.1.1 では受信・送信のそれぞれ信号線を持ち、Ver.2.0 ではLaneの複数化かつ伝送速度改善予定。

主な仕様

インタフェース

JEDEC UFS Version 1.1規格準拠

電源電圧(3電源)

2.7～3.6V (メモリコア)
1.70V～1.95V (コントローラコア・他)
1.10V～1.30V (UFS I/F 信号)

Lane 数

送信, 受信のそれぞれ 1 lane

I/F Speed

送受信それぞれ 2.9 Gbps/lane

動作温度

-25°C～+85°C

パッケージ

169Ball 12×16×1.2mm FBGA

新製品についてのお客様からのお問い合わせ先：
メモリ営業推進統括部　メモリ営業企画担当

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