데이터 센터 스토리지 애플리케이션

데이터 센터 클래스 SSD는 예측 가능한 응답 시간 및 일관된 성능을 제공함으로써 클라우드 및 하이퍼스케일 배포를 지원합니다. PCIe® 및 NVMe™ 기술을 기반으로 구축된 데이터 센터 SSD는 성능, 전력 및 지연 시간의 균형에 맞게 조정되며, 스케일아웃 및 단일 서버 환경에 적합합니다.

하이퍼스케일 및 클라우드 아키텍처를 위한 데이터센터 스토리지

분산 데이터베이스, IoT, 분석, 스트리밍 미디어 및 콘텐츠 제공과 같은 클라우드 애플리케이션은 확장 환경에 맞게 QoS를 확장하고 제공하기 위한 고유한 스토리지 기능 세트가 필요합니다.

KIOXIA 데이터 센터 SSD 솔루션

KIOXIA는 다양한 내구성, 용량 및 보안 옵션을 제공하는 데이터 센터 NVMe™ SSD의 리더이자 혁신 기업입니다. KIOXIA CD 시리즈 및 KIOXIA XD 시리즈는 차세대 PCIe®,NVMe™ 및 폼 팩터 기술을 포함하여 현재와 미래의 아키텍처 모두에 대한 옵션을 제공합니다.

KIOXIA CD 시리즈 데이터 센터 NVMe SSD

KIOXIA CD 시리즈 SSD는 스케일 아웃 및 클라우드 애플리케이션을 위한 읽기 집약적 혼합 사용 옵션을 제공합니다. PCIe® 4.0 및 NVMe™ 1.4 사양을 준수하며 최대 15.36TB의 용량을 제공하는 2.5인치 폼 팩터로 제공됩니다.

KIOXIA XD 시리즈 데이터 센터 NVMe™ SSD

KIOXIA XD 시리즈 SSD는 EDSFF E1.S 9.5mm 폼 팩터로 제공되며 새로운 OCP(Open Compute Project) 플랫폼을 지원합니다. PCIe® 4.0, NVMe™ 1.3c 및 OCP NVMe™ Cloud SSD 사양에 맞게 설계되었으며 TCG-Opal 암호화를 통해 최대 3.84TB의 용량을 제공합니다.

데이터 센터 애플리케이션

클라우드 서버

퍼블릭 및 프라이빗 클라우드는 많은 회사 데이터 센터의 중추입니다. 데이터 센터급 NVMe™ SSD는 24시간 x 365일 애플리케이션에 필요한 일관된 성능과 지연 시간을 제공합니다.

추천 제품

에지 서버

IoT는 산업 애플리케이션, 스마트 시티 등을 관리할 수 있는 새로운 통찰력과 기능을 제공합니다. 에지 서버는 클라우드로의 IoT 데이터 게이트웨이이며 데이터 센터 NVMe™ SSD는 다양한 폼 팩터에서 필요한 성능을 제공합니다.

추천 제품

관련 기술

BiCS FLASH™

KIOXIA의 BiCS FLASH™는 3차원(3D) 수직 플래시 메모리 셀 구조입니다. 이 구조를 통해 2D(평면) 플래시 메모리 용량을 뛰어넘을 수 있습니다. 업계 최초인*2, KIOXIA의 TLC 3비트/셀 1Tb(128GB*1) BiCS FLASH™는 쓰기 속도를 높이는 동시에 쓰기/지우기의 신뢰성을 향상시킵니다.

BiCS FLASH™ 소개
  1. 제품 용량은 최종 사용자가 데이터 저장에 사용할 수 있는 메모리 용량이 아니라 제품 내 메모리 칩의 용량를 기반으로 정의됩니다. 오버헤드 데이터 영역, 포맷, 불량 블록 및 기타 제약으로 인해 소비자 사용 가능 용량이 줄어들 수 있으며, 호스트 장치 및 애플리케이션에 따라 달라질 수도 있습니다. 자세한 내용은 해당 제품 사양을 참조하십시오. 1Gb의 정의 = 230비트 = 1,073,741,824비트. 1GB의 정의 = 230바이트 = 1,073,741,824 바이트.
  2. 2007년 6월 12일, 보도 자료

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관련 링크

What is the 3D Flash Memory “BiCS FLASH™”? A new window will open.

In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.

What is NAND Flash Memory? A new window will open.

KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.

What is Multi-level Cell Technology Realizing Larger Capacity Flash Memory? A new window will open.

“Multi-level cell technology” is one of the main technologies realizing larger capacity flash memory. The 1 Gbit MLC NAND flash memory launched by KIOXIA in 2001 was the first application in the world of multi-level cell technology to a NAND flash memory product.