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BiCS FLASH™ | TLC e QLC
La tecnologia di memoria scalabile BiCS FLASH™ 3D Flash di KIOXIA aumenta la capacità di memoria al massimo livello mai raggiunto finora
BiCS FLASH™ di KIOXIA è una struttura delle celle di memoria flash verticale e tridimensionale (3D). Questa struttura consente di superare la capacità della memoria flash 2D (planare). Il sistema TLC a 3 bit per cella da 1 Tb (128 GB*1) BiCS FLASH di KIOXIA, una novità nel settore*2, migliora l'affidabilità della resistenza alla scrittura/cancellazione e aumenta le velocità di scrittura. KIOXIA offre anche un dispositivo BiCS FLASH™ da 1,33 Tb dotato di tecnologia a 4 bit per cella, a quadruplo livello (QLC). È il primo dispositivo di memoria flash 3D con queste caratteristiche.*3
Caratteristiche principali della tecnologia di memoria flash 3D KIOXIA BiCS FLASH™
- Densità di archiviazione per matrice superiore rispetto alla memoria flash convenzionale
- Prestazioni di velocità di lettura/scrittura superiori
- Maggiore affidabilità rispetto alla NAND 2D (planare)
- Consumo di energia ridotto
Tecnologia TLC (Triple-Level Cell) e QLC (Quadruple-Level Cell)
BiCS FLASH™ di KIOXIA offre 1 terabit (Tb) a 3 bit per cella, cella a triplo livello (TLC), e la tecnologia QLC a densità più elevata consente una maggiore capacità di matrice. KIOXIA ha raggiunto la capacità più ampia del settore*4 di 1,33 terabit (Tb) per matrice, e un'architettura stacked a 16 matrici permette di realizzare una capacità senza pari di 2,66 terabyte (TB) in un unico package.
Caratteristiche principali
- Opzioni di imballaggio denso
- Elevata capacità di memoria a chip singolo (fino a 2,66TB)
- Rapporto costo/prestazioni favorevole
Applicazioni principali
- Archiviazione aziendale
- Archiviazione nei data center
- Applicazioni informatiche client
- Dispositivi mobili
- Settore automobilistico
- Prodotti di consumo
- Settore industriale
Guidiamo l’innovazione per una maggiore densità ed efficienza di memoria
KIOXIA è stata la prima società del settore a progettare e prepararsi efficacemente alla migrazione della tecnologia SLC a MLC, da MLC a TLC e ora da TLC a QLC.
La tecnologia QLC di KIOXIA è ideale per applicazioni che richiedono soluzioni di storage ad alta densità e a costi ridotti. Il QLC odierno riduce l'ingombro con la densità più elevata disponibile in un unico package.
- La densità del prodotto viene identificata sulla base della densità del/dei chip di memoria all’interno del prodotto, non della quantità di capacità di memoria disponibile per l’archiviazione di dati da parte dell’utente finale. La capacità utilizzabile dal consumatore sarà inferiore a causa delle aree dati generali, della formattazione, dei blocchi difettosi e di altri vincoli, e può anche variare in base al dispositivo host e all’applicazione. Per i dettagli, fare riferimento alle specifiche del prodotto applicabili. La definizione di 1Gb = 230 bit = 1.073.741.824 bit. La definizione di 1GB = 230 byte = 1,073,741,824 byte.
- 12 giugno 2007, comunicato stampa
- 28 giugno 2017., comunicato stampa
- 20 luglio 2018., comunicato stampa
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
