新規技術で世界に挑む、それが開発の醍醐味

専門領域：フラッシュメモリ開発

インタビュー動画：新規技術で世界に挑む、それが開発の醍醐味

「43ナノメートル」というフラッシュメモリの開発です。
世界に先駆けて、高誘電体膜をフラッシュメモリに採用して量産までこぎ着けたというところがあります。メモリ開発で最先端を走るためには、そういうふうな新規技術というのは不可欠です。その新規技術をいかにちゃんと使いこなせるか、これが非常に重要で、そのためには要所要所できちんとした判断をする、それが大事だということを痛感した次第です。

自分のアイデアを技術としてデバイスに持ち込むことができます。それが外から見える場合もありますし、見えない場合もあります。見えなくてもひそかに自分で「この部分には私の技術が入ってるんだよね」と思い、そういうものが世の中の製品に出ている。それはすごく技術者として楽しい、うれしいことだと思います。

今、フラッシュメモリのメーカーは数々ありますが、フラッシュメモリそのものを発明、また、3次元フラッシュメモリを発明したメーカーはほかにはないです。そのような新規技術を自分たちで開発して取り込めるという雰囲気が、キオクシアの中にはあります。自分で自分のアイデアを製品に盛り込んで、それで、本当に市場に出せる、これは開発技術者としての冥利に尽きると思います。

間 博顕 （はざま ひろあき） 　メモリ事業部　フェロー

• 1985年　大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻　終了（修士）
• 1985年　株式会社東芝入社　総合研究所ULSI研究所配属
• 2007年　同社　先端メモリ開発センター先端メモリデバイス開発部　グループ長
• 2008年　同社　先端メモリ開発センター先端メモリデバイス開発部長
• 2011年　同社　メモリ事業部　ファイルメモリ・デバイス技術部　メモリデバイス開発主幹
• 2017年　東芝メモリ株式会社　メモリ事業部　技監
• 2019年　キオクシア株式会社　メモリ事業部　フェロー

• 1994年～2002年　メモリセルの信頼性劣化メカニズム解明および高信頼性セルの開発
• 2002年～2007年　90nm、70nm、56nm、43nmのNAND型フラッシュメモリの開発を牽引
• 2007年～2011年　56nm、43nm、32nm、24nm、19nmのNAND型フラッシュメモリの開発を牽引

• 1995年3月　IEEE International Conference on Microelectronics Test Structures Best Paper Award

専門領域：デバイス・プロセス
企業で基礎研究を行う面白さ、半導体デバイス、プロセスを通じた社会への貢献を語ります。

専門領域：メモリシステム
進化を続けるコンピューティングの世界において、市場で勝ち抜くメモリシステムの変革を語ります。

専門領域：TCADシミュレーション
半導体分野におけるデジタルツインの創造が、社会に新たな価値や面白さを提供します。