白いキャンバスに描く、10年後のデバイスと未来

専門領域：デバイス・プロセス

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いろいろな研究開発をやってきましたが、「High-k」これは高誘電体というものですが、それをゲート絶縁膜として用いたMOSトランジスタの技術の開発が最も印象深いものでした。
高速CMOS用の技術として材料的にも大きな変革を伴うものでしたので、私はその中で研究開発センター側のリーダーとして開発に参画をしていました。開発が一気に進んだ時となかなか停滞してしまったとき、いろんなフェーズがあったように思います。
新材料ということで実験ロットを流す、これは結構大変でして、それを克服して、2002年に初めて100ナノメートルレベルのHigh-kのMOSトランジスターが動作したときには皆で喜びあったことを覚えています。

企業の研究者というのは自分のやっていた技術が世の中に出る、それで皆さんの役に立つ、そこが一番なんですよね。

西山 彰（にしやま あきら）　メモリ技術研究所　フェロー

• 1985年　東京工業大学大学院総合理工学研究科電子システム専攻　修了（修士）
• 1985年　株式会社東芝入社　総合研究所に配属
• 1993年～1994年　オランダ　FOM-AMOLF 研究所　客員研究員
• 1998年　早稲田大学　博士（工学）学位取得
• 2006年　同社　研究開発センター　LSI基盤技術ラボラトリー　室長
• 2009年　同社　研究開発センター　次長
• 2012年　同社　研究開発センター　技監
• 2014年　同社　研究開発センター　首席技監
• 2018年　東芝メモリ株式会社　メモリ技術研究所　技監
• 2019年　同社　メモリ技術研究所　フェロー

• 1985年～1993年　MOSトランジスタ高速化のためのソース/ドレイン低抵抗化技術の研究開発
• 1994年～1996年　ソース/ドレイン半導体ヘテロ接合形成によるSOI（Silicon On Insulator）　MOSトランジスタ寄生効果抑制技術の研究開発
• 1996年～1999年　基板欠陥評価技術、50nm　CMOS等の研究開発
• 1999年～2006年　MOSトランジスタ低消費電力化のための高誘電体ゲート絶縁膜/金属ゲート電極技術の研究開発
• 2006年～2009年　不揮発メモリ、高速低消費電力MOSトランジスタ、先端TCAD、先端半導体分析等の基盤技術研究開発を牽引
• 2009年～2017年　不揮発メモリ、高速低消費電力MOSトランジスタ、新型FPGA、先端TCAD、先端半導体分析、HDDデバイス、光ディスク、センサー、極微細加工用リソ等の基盤技術研究開発を統括

• 2000年～2007年　武蔵工業大学（現東京都市大学）　非常勤講師
• 2009年～2015年　東京工業大学大学院総合理工学研究科　連携教授
• 2018年　名古屋大学　工学部　電気電子情報工学科　非常勤講師（2021年現在）
• 2019年　九州大学　グローバルイノベーションセンター　客員教授（2021年現在）

• 2010年9月　（公社）応用物理学会　フェロー表彰受賞

• （公社）応用物理学会　理事（2013年～2015年）
• （公社）応用物理学会　副会長（2017年～2019年）
• IEEE Electron Device Society, Technical Committee member (2014-2017)
• IEEE Electron Device Society Japan Joint Chapter Chair（2018-2020）

専門領域：メモリシステム
進化を続けるコンピューティングの世界において、市場で勝ち抜くメモリシステムの変革を語ります。

専門領域：TCADシミュレーション
半導体分野におけるデジタルツインの創造が、社会に新たな価値や面白さを提供します。

専門領域：フラッシュメモリ開発
新規技術導入で世界に挑み続ける開発リーダーが、技術の粋を結集して生み出したメモリについて語ります。