bg4_イメージ画像_001

Client SSD
NVMe™ SSD M.2

BG4シリーズは当社の96層3セット/セル(TLC)「BiCS FLASH™」とPCIe® Gen3 x4レーンのインターフェイスを搭載され、最大容量1,024GBのSingle package NVMe™ SSDです。インターフェイススピードの向上およびフラッシュメモリ管理、ホストメモリバッファ(HMB)などの技術改良により、BG4 SSDは、小型・single package SSDとしての業界最速クラスのリード性能を提供し、シーケンシャルリード最大2,300MB/s、ランダムリード最大390K IOPSを消費電力3.7W(Typ.)で実現しています。

本製品は128GB、256GB、512GB、1,024GBの四つの容量で、フォームファクターはそれぞれ面実装タイプのM.2 1620 single packageと、抜き差し可能なモジュールタイプのM.2 2230で提供しています。超薄型PC、IoT組込み系システム、データセンターのサーバーブート用途など、小型で高速処理が求められる用途に適しています。
また、自己暗号化機能(SED, TCG Opal version 2.01)に対応した機種も用意しています。

ドキュメントダウンロード

主な特長

96層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™搭載

PCIe® Gen3 x4, NVMe™に対応

最大容量1,024GB

M.2 1620 single packageとM.2 2230片面実装フォームファクター

TCG Opal 2.01に対応 (SEDモデルのみ)

適した用途

  • ウルトラモバイルPC
  • 2-in-1 ノートPC
  • IoT/組込みデバイス
  • サーバー/ストレージブート用

製品仕様

面実装タイプのM.2 1620 single package

※表を左右にスクロールすることができます

基本モデル型番KBG40ZPZ1T02KBG40ZPZ512GKBG40ZPZ256GKBG40ZPZ128G
記憶容量1,024 GB512 GB256 GB128 GB
基本仕様
フォームファクターM.2 1620-S3 Single packageM.2 1620-S2 Single package
コネクタタイプ-
インターフェイスPCIe® Gen3 x4, NVMe™ 1.3b
最大インターフェイススピード32 GT/s (Gen3 x4)
フラッシュメモリタイプBiCS FLASH™ TLC
シーケンシャルリード2,300 MB/s2,200 MB/s2,000 MB/s
シーケンシャルライト1,800 MB/s1,400 MB/s800 MB/s
ランダムリード390 K IOPS330 K IOPS200 K IOPS
ランダムライト200 K IOPS190 K IOPS150 K IOPS
信頼性
MTTF1,500,000 hours
電源要件
電源範囲3.3 V ± 5 %, 1.8 V ±5 %,1.2 V ±5 %
消費電力(アクティブ)3.4 W typ.3.1 W typ.3.2 W typ.3 W typ.
消費電力(L1.2モード)5 mW typ.
寸法
高さ1.5 mm Max.1.3 mm Max.
16.0 mm Max.
長さ20.0 mm Max.
重量1.0 g Max.0.85 g Max.
環境特性
温度範囲 (動作時)0 ~ 85 °C(TSMART)
温度範囲 (非動作時)-40 ~ 85 °C
振動 (動作時/非動作時)-
耐衝撃 (動作時/非動作時)-
その他の機能・ホストメモリバッファ(HMB)機能
・SLCキャッシュ機能
・Sanitize機能
モジュールタイプのM.2 2230

※表を左右にスクロールすることができます

基本モデル型番KBG40ZNS1T02KBG40ZNS512GKBG40ZNS256GKBG40ZNS128G
記憶容量1,024 GB512 GB256 GB128 GB
基本仕様
フォームファクターM.2 2230-S3 片面モジュールM.2 2230-S2 片面モジュール
コネクタタイプM.2 M
インターフェイスPCIe® Gen3 x4, NVMe™ 1.3b
インターフェイススピード32 GT/s (Gen3 x4)
フラッシュメモリタイプBiCS FLASH™ TLC
シーケンシャルリード2,300 MB/s2,200 MB/s2,000 MB/s
シーケンシャルライト1,800 MB/s1,400 MB/s800 MB/s
ランダムリード390 K IOPS330 K IOPS200 K IOPS
ランダムライト200 K IOPS190 K IOPS150 K IOPS
信頼性
MTTF1,500,000 hours
電源要件
電源範囲3.3 V ± 5 %
消費電力(アクティブ)3.7 W typ.3.5 W typ.3.6 W typ.3.4 W typ.
消費電力(L1.2モード)5 mW typ.
寸法
高さ2.38 mm Max.2.23 mm Max.
22.0 mm Max.
長さ30.0 mm Max.
重量2.6 g Max.2.5 g Max.
環境特性
温度範囲 (動作時)0 ~ 85 °C(TSMART)
温度範囲 (非動作時)-40 ~ 85 °C
振動 (動作時/非動作時)196 m/s2 { 20 G } ( Peak, 10 ~ 2,000 Hz )
耐衝撃 (動作時/非動作時)14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms )
その他の機能・ホストメモリバッファ(HMB)機能
・SLCキャッシュ機能
・Sanitize機能
  • 写真は掲載時におけるイメージです。
  • 自己暗号化機能付きモデル (SED) のラインアップは、地域によって異なります。
  • 記憶容量:1MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
  • 1MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイトによる算出値です。
  • IOPS: Input Output Per Second (1秒間に読み書きできる回数)
  • 読み出しおよび書き込み速度は、ホストメモリバッファ (HMB) 機能が「On」状態時の性能です。
  • 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
  • MTTF (平均故障時間) は製品寿命の保証や目安ではなく、製品の平均故障率から統計的に算出したものです。 実際の稼働時間はシステム構成、使用法、その他の要因により異なる場合があります。
  • TSMART: チップから伝達されるSMART/Health情報での温度
  • PCIeはPCI-SIGの商標です。
  • NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
  • その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
  • 記載されている情報は、予告なく変更されることがあります。

サポート情報

ダウンロード

過去の製品情報やホワイトペーパー、データシートなどがダウンロードできます。

半導体メモリやSSDなど、キオクシアの製品や技術に関わる用語を取り上げた技術用語集です。技術者・研究者の方から一般の皆さままでご活用いただけるよう解説しています。

お問い合わせ

法人向け製品(メモリチップ・SSD・SDメモリーカード)に関する技術的なご質問、各種資料請求、サンプル・ご購入などは、こちらからお問い合わせください。